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NXP Semiconductors
PESD5V0S1UJ; PESD12VS1UJ
Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
Table 6. Limiting values …continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
P tot
total power dissipation
T amb ≤ 25 ° C
[3]
-
420
mW
[4]
-
720
mW
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
[3]
[4]
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Soldering point of cathode tab.
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm 2 .
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic discharge voltage
IEC 61000-4-2
[1]
-
30
kV
(contact discharge)
machine model
MIL-STD-883 (human
-
-
400
16
V
kV
body model)
[1]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Table 8.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
PESD5V0S1UJ_PESD12VS1UJ_1
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3 (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 4 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 June 2009
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